2023.02.20
▶ 단일 인덕터 벅-부스트 아키텍처▶ 저잡음 벅-부스트 아키텍처▶ 넓은 VIN 범위: 1.8~5.5V▶ 조정 가능한 VOUT 범위: 1.8~5.5V▶ VIN > VOUT일 때 연속 출력 전류 5A▶ 최대 95% 효율성▶ 선택 가능한 내부 2.2MHz 고정 주파수 조정 및 동기화 가능: 최대 4MHz▶ 경부하에서 고효율을 위한 Burst Mode® IQ 15μA▶ 프로그래밍 가능한 소프트 스타트 및 VIN UVLO▶ 외부 부품을 최소화한 간단한 솔루션
2023.01.23
▶ VOUT 범위: 0.5~3.65V▶ 2MHz 스위칭 주파수▶ 낮은 리플 Burst Mode® 또는 강제 연속 작동 모드▶ 고효율: 30mΩ NMOS, 100mΩ PMOS▶ 피크 전류 모드 제어▶ 최소 온 타임: 22ns▶ 넓은 대역폭, 빠른 과도 응답▶ 과부하 시 인덕터 포화를 안전하게 허용
2023.01.05
▶ 단일 인덕터 아키텍처로 VIN이 규제된 VOUT보다 높거나 낮거나 같을 수 있음▶ 동기 정류: 최대 98% 효율▶ 넓은 VIN 전압 범위: 5~70V▶ ±1% 출력 전압 정확도: 1V ≤ VOUT ≤ 70V▶ DCR 또는 RSENSE 전류 감지▶ 벅/부스트/벅-부스트 모드에서 피크 전류 모드 제어▶ 프로그래밍 가능한 입력 또는 출력 전류 조절▶ 7V NMOS 게이트 드라이버▶ 위상 잠금 가능 주파수(100kHz~600kHz)▶ 다상/다중 IC 병렬 작동▶ 선택 가능한 연속 또는 펄스 스키핑 모드 작동 및 인덕터 피크 전류 제한▶ 소형 32리드 5mm × 5mm QFN 패키지
2022.12.15
▶ 통합 스위칭 강압 조정기로 구동되는 이중 LDO▶ EMI 노이즈 실드가 통합된 저노이즈 Silent Switcher® 아키텍처▶ CISPR22 클래스 B 및 CISPR25 클래스 5 준수▶ 초저 출력 RMS 잡음: <1μVRMS(10Hz~100kHz)▶ 초저 출력 스폿 잡음: 10kHz에서 2nV/√Hz▶ 매우 높은 PSRR: 100kHz에서 80dB▶ 넓은 입력 전압: 3.5~40V▶ 넓은 출력 전압: 0~8V▶ TA = 85°C에서 이중 500mA 연속 전류▶ 전압 추적 기능으로 전력 손실 최소화▶ 초기 정확도가 ±1%인 100μA SET 핀 전류▶ 선택 가능한 스위칭 주파수: 200kHz ~ 2.2MHz▶ 외부 동기화▶ 프로그래밍 가능 전력 양호▶ 더 낮은 잡음과 더 높은 전류를 위해 병렬 가능▶ 9mm × 6.25mm × 3.32mm BGA
2022.12.09
▶ 최대 온도 계수 - 3ppm/°C(B등급) - 6ppm/°C(A 등급)▶ 출력 전류 용량(일반): 70mA 소싱/20mA 싱킹▶ 낮은 정동작 전류: 65μA▶ 낮은 셧다운 전류: 1.5μA▶ 출력 전압 노이즈(0.1Hz ~ 10Hz): 3ppm p-p▶ 최대 초기 출력 전압 오차 - ±0.04%(B등급) - ±0.08%(A등급)▶ 작동 온도 범위: -40°C ~ +125°C▶ 최대 입력 전압: 16V▶ 낮은 드롭아웃 전압: 0.25V▶ 1.8V 논리 호환 가능▶ 8리드 MSOP 패키지